B. Semmache, S. Kallel
Le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression dans un four à lampes halogène (RT LPCVD) est une technique prometteuse pour la déposition de couches minces à base de silicium. Cette recherche vise à étudier les performances et les propriétés physiques des films déposés par RT LPCVD. La méthodologie inclut l'utilisation de divers gaz tels que SiH4, NH3, N2O, O2, PH3 et B2H6 pour produire différents types de films, notamment du silicium polycristallin dopé, du nitrure de silicium et de l'oxynitrure de silicium. Les résultats démontrent que le contrôle précis des paramètres de dépôt, tels que la température et la pression, permet la réalisation de films aux propriétés structurelles, électriques et optiques intéressantes. De plus, il a été observé que les films déposés sont plus compactes et présentent moins d'hydrogène lié comparativement à ceux issus de méthodes CVD assistées par plasma, ce qui souligne leur stabilité et leur potentiel pour des applications dans des dispositifs microélectroniques et solaires. Ce travail met ainsi en évidence l'importance du RT LPCVD dans la fabrication de dispositifs moins polluants.
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title={Depot chimique en phase vapeur et a bass},
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