Non spécifié
Les IGBT, ou transistors bipolaires à grille isolée, sont des composants de puissance intégrant les avantages des transistors MOS et bipolaires tout en minimisant leurs inconvénients. Cet article présente la structure et les caractéristiques des IGBT, en mettant en avant leur association avec des transistors PNP de faible gain et des MOS canaux N. Les résultats indiquent que le comportement des IGBT en commutation est asymétrique, avec un temps de blocage plus long par rapport à un passage rapide à l'état conducteur. Également, une attention particulière est portée sur les avancées récentes en matière de temps de commutation, qui se rapprochent des MOS. En termes de fonctionnement thermique, les IGBT adoptent un comportement similaire aux bipolaires à faibles courants, tandis qu'à des courants élevés, ils se comportent comme des MOS. Avec une tension maximale de collecteur atteignant 1200V et des courants de plusieurs dizaines d'ampères, les IGBT sont essentiels dans le domaine des éléments de puissance, comme illustré par l'exemple du modèle IRG4BC20UD.
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Non spécifié
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