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Ce document traite du fonctionnement des transistors à effet de champ, en particulier les transistors MOS (métal, oxyde, silicium). L'objectif principal est de décrire le principe de fonctionnement de ces dispositifs, en mettant en évidence leur structure et leur comportement sous différentes conditions de tension. La méthodologie employée comprend l'analyse des équations régissant les caractéristiques des transistors MOS, intégrant les concepts de charges dans le substrat et leur comportement électrostatique. Les résultats montrent que l'application d'un potentiel positif à la grille génère un canal d'électrons, permettant ainsi la conduction dans le transistor. De plus, des différences entre les configurations de canal n et p sont discutées, notamment en ce qui concerne l'application des tensions appropriées pour activer ou désactiver ces composites électroniques. Ces éléments sont fondamentaux pour comprendre les principes des circuits basés sur la technologie MOS et pour explorer davantage d'applications dans l'électronique logique.